Elpida前高管承认参与共谋垄断DRAM价格

紫绮

  美国司法部日前表示，在其正在调查的DRAM价格垄断案中，日本Elpida公司的前高管已承认有罪。

据美国司法部的声明，Elpida的前内存业务副总裁D. James Sogas同意因参与全球共谋操纵入狱服刑六个月和缴纳25万美元罚金。

在20世纪90年代和本世纪初进行的DRAM价格垄断调查中，Sogas成为第17位被起诉和第14位认罪的人。Sogas是上述DRAM价格调查中第一位认罪的Elpida高管。

今年9月，长期担任三星旗下美国公司Samsung Semiconductor高管的Thomas Quinn也认罪，由于在全球共谋操纵DRAM储存芯片价格而将入狱服刑。根据认罪协议，Quinn需要服刑八个月并支付25万美元罚款。

德国英飞凌和韩国海力士 (Hynix Semiconductor)一共有8人认罪，并被判入狱五到八个月，每人支付25万美元罚款。

美光(Micron Technology)的一位高管则早在2003年12月承认妨碍司法并被判软禁六个月。德国英飞凌 (Infineon Technologies)在2004年9月同意支付1.6亿美元的罚款。

今年1月，日本厂商Elpida Memory同意认罪，并支付8,400万美元的罚款。