U盘数据恢复-NAND芯片坏块管理和删除

U盘提示格式化，U盘无容量等U盘数据恢复问题现在比较常见，很多时候是NAND芯片损坏导致，现代NAND芯片的每一颗晶体都由几个平面组成。通常，它由2或4个平面组成。该平面由分组为页面和块的存储器单元阵列组成。连接平面使得平面0由偶数物理块（0,2,4,6，...）组成，平面1包括奇数块（1,3,5,7，...）。由于质量相对较差，TLC NAND芯片存在工厂缺陷。每个晶体和平面的缺陷都是独一无二的。在每个块的所有页面中，来自一个平面的缺陷是相同的。这些缺陷称为坏列。 Bad Columns仅在具有WL tripple地址/ WL tripple地址和DDR数据传输协议的芯片中呈现。

这些垂直条纹是坏列。在练习1 ... 80个缺陷/列（每页2 ... 160个字节）中，一个页面中的错误列数可以是任意数量。坏列的典型大小是2个字节，很少是1个字节，有时它们被组合在一起作为4,6个字节。对于每个平面，页面上的坏列的分布是唯一的。坏列通常由00 / FF或任何其他二进制模式填充。当提取芯片的物理图像时，物理块顺序读取，因此图像由来自平面0和平面1（平面2，平面3）的交替块组成。由于不同平面的页面和块具有不同的缺陷，因此在物理图像（转储）中，坏列将以2或4个块的周期（区域大小）重复。物理图像有2个飞机和坏列，如下图所示。

当向NAND写入和读取数据时，控制器会跳过坏列，因为它知道它们在芯片中的位置。坏列不存储任何用户数据。在分析和逻辑图像重建之前，有必要从物理图像中删除坏列，因为它们会移动所有数据。

有必要确定每个平面的一页内的坏列的位置，大小和数量。位置是从页面开头的错误列的偏移量。坏列大小以字节表示。 Number确定从页面开头的偏移量，必须添加该偏移量才能减少坏列缺陷。