Flash数据恢复 NAND芯片信号术语与定义(LGA/TLGA,BGA63,BGA100,BGA152,BGA136)

在U盘/TF卡/SD卡等数据恢复中，我们需要读取NAND Flash芯片，有多种定义如LGA/TLGA,BGA63,BGA100,BGA152,BGA136...数据恢复工程师在解决方案库中使用一体方案时遇到芯片读取问题。那么，如何正确读取它们并焊接存储芯片的引脚以正确放置在适配器电路板上呢？

8位数据总线：D0，D1，D2，D3，D4，D5，D6，D7

16位数据总线：D0，D1，D2，D3，D4，D5，D6，D7，D8，D9，D10，D11，D12，D13，D14，D15

无论数据总线比特率如何，每个存储芯片都有以下控制线：CE，CLE，ALE，WE，RE，R / B，WP

而且，每个存储芯片都有由引脚（VCC和GND）提供的电源。

基本上将数据线标记为Dx（x –行号，例如D0，D1，D2）

也可以将它们标记为IO0，IO1，Io2或DQ0，DQ1，DQ2…

另外，一些现代内存芯片的标记如下：

IO0-0，IO0-1

IO1-0，IO1-1

IO2-0，IO2-1

这些标记表示IOx-ch（数据线的x数，ch –通道号）

D0 = IO0 = DQ0

D1 = IO1 = DQ1

D2 = IO2 = DQ2

等等。

基本上将ALE，CLE，WE，RE，WP引脚标记为原样，但可以将其标记为：

ALE-0，ALE-1（ALE0，ALE1，ALE＃0，ALE＃1）

CLE-0，CLE-1（CLE0，CLE1，CLE＃0，CLE＃1）

在这种情况下，数字表示通道号。如果存储芯片没有通道号，则只有一个通道。

例如：“我有一个带CE0引脚的一体盘，但PC-3000手册上没有任何信息”。

因此，正如您在电子/工程学中所记得的那样，计算从零开始。

然后我们有：

CE0 / CE1

CE1 / CE2

CE2 / CE3

CE3 / CE4

结果：

存储芯片的CE0应焊接到读取器引脚的CE1

存储芯片的CE1应焊接到读取器引脚的CE2

存储芯片的CE2应焊接到读取器引脚的CE3。

另外，在某些情况下，CE没有任何编号（如图片所示），然后需要将其焊接到CE1读取器引脚上。

从6.5.1.3701软件版本开始，所有线R / B均可焊接到阅读器上的任何一个R/B引脚上。

这就是信号引出线。本文的下一部分关于电源。

VCC和GND是电源引脚的默认标记。

这些标记有不同的变体：

VCC = VCCQ，VSP1，VSP2，VSP3，VSP4

地= VSS，VSSQ

VCC –电源，另加

GND –接地，负零

如我们所见，每个信号都有自己的索引。

IO0-7_n –从IO0…到IO7 –是数据总线。

但是“ _n”（_ 0，_1）是通道号。

相同的标记和其他引脚上的：“ _ 0”和“ _1”表示“ _0” –是第一通道，“ _ 1”是第二通道。

然后需要分别阅读这些行。首先需要焊接所有带有“ _0”标记的引脚，然后读取它们，然后再焊接带有“ _1”标记的引脚，然后读取它们。

基本上，所有LGA / TLGA存储器芯片都有4行CE引脚，它们是成对连接的：

IO0_0 + IO0_1

IO1_0 + IO1_1

…。

CLE_0 + CLE_1

ALE_0 + ALE_1

WE_0 + WE_1

RE_0 + RE_1

WP_0 + WP_1（是写保护引脚，不能焊接此线）

CE引脚的焊接：

CE0_0 –阅读器的CE1

СE0_1–阅读器的CE2

CE1_0 –阅读器的CE3

CE1_1 –阅读器的CE4。

R / B线–全部都可以焊接到R / B引脚。

此外，所有内存芯片都具有BGA尺寸，因此我们需要这些芯片的图像，并且需要翻转图像。

该存储芯片具有与TSOP芯片大致相同的引脚排列：

电源在以下引脚上：

读取器的VCC 3.3 V至存储器芯片的VCC，VDDi，VSP1，VSP3，VSP2，VCCQ引脚。

读取器的GND至存储芯片的VSS，VSSQ

无需焊接“ R”引脚。它们被标记为保留。

这种类型的存储芯片与LGA / TLGA芯片大致相同。

结果需要读取一个单独的通道：

通道0 – IO0_0…IO7_0，CE0_0，CE1_0，ALE_0，CLE_0，WE_0，RE_0

通道1 – IO0_1…IO7_1，CE0_1，CE1_1，ALE_1，CLE_1，WE_1，RE_1

该存储芯片类型的电源为：

读取器的VCC 3.3 V到存储芯片的VCC，VDDi，VSP1，VSP2，VSP3，VCCQ。

读取器的GND至存储芯片的VSS，VSSQ。

（最好焊接所有VCC，VCCQ，VSP，VSS，VSSQ引脚）

与BGA152相同（请看下面）。

与BGA152相同（请看下面）。

这样的存储芯片可以具有8条CE线和2条通道。

频道0：

IO0_0，IO1_0，IO2_0，IO3_0，IO4_0，IO5_0，IO6_0，IO7_0

СE0_0，CE1_0，CE2_0，CE3_0

ALE_0，CLE_0，WE_0，RE_0

R / B0_0，R / B1_0

频道1：

IO0_1，IO1_1，IO2_1，IO3_1，IO4_1，IO5_1，IO6_1，IO7_1

СE0_1，CE1_1，CE2_1，CE3_1

ALE_1，CLE_1，WE_1，RE_1

R / B0_1，R / B1_1

可以通过BGA-152适配器（由ACE提供）读取此存储芯片。

如果没有，您可以订购或将存储芯片焊接到电路板上：

1.通过提早提供的分开的通道（0和1）。

2.如果内存芯片的存储体不超过4个，则通道可以成对组合：

IO0_0 + IO0_1

IO1_0 + IO1_1

IO2_0 + IO2_1

……。

CLE_0 + CLE_1

ALE_0 + ALE_1

WE_0 + WE_1

RE_0 + RE_1

如果使用这种组合，则CE线应按以下步骤焊接：

CE0_0 –读卡器的CE1

CE1_0 –读卡器的CE2

СE0_1–读卡器的CE3

CE1_1 –读卡器的CE4

等等

所有R / B线都可以焊接到阅读器的任一R / B引脚上。

读取器的VCC引脚焊接到存储芯片的VCC和VCCQ引脚。

读取器的GND引脚焊接到存储芯片的VSS和VSSQ引脚。

它具有这样的引脚分配方案：

如我们所见，它只有一个通道，因此需要同时焊接所有引脚。

基本上，这种存储芯片被放置在容量不大的中国SSD/" target="_blank" class="relatedlink">闪存驱动器中。

例如，我们有一个4 GB金士顿DT101 G2盒（实际容量为128 MB）。

您想在学习完了Nand的术语与定义了，如有不明白可以在下方评论区留言或到技术论坛提出。