csdn 发表于 2015-3-2 09:43:30

Nand Flash数据读写与软件编写调试

本帖最后由 csdn 于 2015-3-2 09:47 编辑

       NAND FLASH 在对大容量的数据存储需要中日益发展,到现今,所有的数码相机、多数MP3播放器、各种类型的U盘、很多PDA里面都有NAND FLASH的身影。
1.      Flash的简介

NOR Flash:

    * 程序和数据可存放在同一片芯片上,拥有独立的数据总线和地址总线,能快速随机地读取,允许系统直接从Flash中读取代码执行,而无需先将代码下载至RAM中再执行

    * 可以单字节或单字编程,但不能单字节擦除,必须以块为单位或对整片执行擦除操作,在对存储器进行编程之前需要对块或整片进行预编程和擦除操作。


NAND FLASH
      * 以页为单位进行读写操作,1页为256B或512B;以块为单位进行擦除操作,1块为4KB、8KB或16KB。具有快编程和快擦除的功能

   * 数据、地址采用同一总线,实现串行读取。随机读取速度慢且不能按字节随机编程

   * 芯片尺寸小,引脚少,是位成本(bit cost)最低的固态存储器

   * 芯片存储位错误率较高,推荐使用 ECC校验,并包含有冗余块,其数目大概占1%,当某个存储块发生错误后可以进行标注,并以冗余块代替

   *Samsung、TOSHIBA和Fujistu三家公司支持采用NAND技术NAND Flash。目前,Samsung公司推出的最大存储容量可达8Gbit。NAND 主要作为SmartMedia卡、Compact Flash卡、PCMCIA ATA卡、固态盘的存储介质,并正成为Flash磁盘技术的核心。

2.      NAND FLASH 和NOR FLASH 的比较
1)       性能比较

    Flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。

    由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。

    执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。

        ● NOR的读速度比NAND稍快一些。

        ● NAND的写入速度比NOR快很多。

        ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。

        ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。

        ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。

2)       接口差别

    NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。

NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,共用8位总线(各个产品或厂商的方法可能各不相同)。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的页和32KB的块为单位,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。

3)       容量和成本

NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格,大概只有NOR的十分之一。

NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。

4)       可靠性和耐用性

采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。

在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。

5)       位交换(错误率)

所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。

这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。

6)       坏块处理

NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。现在的FLSAH一般都提供冗余块来代替坏块如发现某个块的数据发生错误(ECC校验),则将该块标注成坏块,并以冗余块代替。这导致了在NAND Flash 中,一般都需要对坏块进行编号管理,让每一个块都有自己的逻辑地址。

7)       易于使用

可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。

8)       软件支持

当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

在掌上电脑里要使用NAND FLASH 存储数据和程序,但是必须有NOR FLASH来启动。除了SAMSUNG处理器,其他用在掌上电脑的主流处理器还不支持直接由NAND FLASH 启动程序。因此,必须先用一片小的NOR FLASH 启动机器,在把OS等软件从NAND FLASH 载入SDRAM中运行才行。

9)       主要供应商

NOR FLASH的主要供应商是INTEL ,MICRO等厂商,曾经是FLASH的主流产品,但现在被NANDFLASH挤的比较难受。它的优点是可以直接从FLASH中运行程序,但是工艺复杂,价格比较贵。

NAND FLASH的主要供应商是SAMSUNG和东芝,在U盘、各种存储卡、MP3播放器里面的都是这种FLASH,由于工艺上的不同,它比NORFLASH拥有更大存储容量,而且便宜。但也有缺点,就是无法寻址直接运行程序,只能存储数据。另外NAND FLASH非常容易出现坏区,所以需要有校验的算法。


3.NAND Flash的硬件设计NAND FLASH是采用与非门结构技术的非易失存储器,有8位和16位两种组织形式,下面以8位的NAND FLASH进行讨论。
1)      接口信号
与NOR Flash相比较,其数据线宽度只有8bit,没有地址总线,I/O接口可用于控制命令和地址的输入,也可用于数据的输入和输出,多了CLE和ALE来区分总线上的数据类别。


2)      地址结构
NAND FLASH主要以页(page)为单位进行读写,以块(block)为单位进行擦除。FLASH页的大小和块的大小因不同类型块结构而不同,块结构有两种:小块(图2)和大块(图3),小块NAND FLASH包含32个页,每页512+16字节;大块NAND FLASH包含64页,每页2048+64字节。



图2 小块类型NAND FLASH


图3大块类型NAND FLASH

其中,512B(或1024B)用于存放数据,16B(64B)用于存放其他信息(包括:块好坏的标记、块的逻辑地址、页内数据的ECC校验和等)。NAND设备的随机读取得效率很低,一般以页为单位进行读操作。系统在每次读一页后会计算其校验和,并和存储在页内的冗余的16B内的校验和做比较,以此来判断读出的数据是否正确。

大块和小块NAND FLASH都有与页大小相同的页寄存器,用于数据缓存。当读数据时,先从NAND FLASH内存单元把数据读到页寄存器,外部通过访问NAND FLASH I/O端口获得页寄存器中数据(地址自动累加);当写数据时,外部通过NAND FLASH I/O端口输入的数据首先缓存在页寄存器,写命令发出后才写入到内存单元中。


3)      接口电路设计(以下以2410和K9F1208U为例)
2410处理器拥有专门针对 NAND设备的接口,可以很方便地和NAND设备对接,如图9所示。虽然NAND设备的接口比较简单,容易接到系统总线上,但2410处理器针对NAND设备还集成了硬件ECC校验,这将大大提高NAND设备的读写效率。当没有处理器的ECC支持时,就需要由软件来完成ECC校验,这将消耗大量的CPU资源,使读写速度下降。


图9 S3C2410与NAND FLASH接口电路示意图

3.NAND FLASH 的软件编写和调试
    NAND设备的软件调试一般分为以下几个步骤:设置相关寄存器、NAND 设备的初始化、NAND设备的识别、NAND设备的读擦写(带ECC校验 )
    NAND设备的操作都是需要通过命令来完成,不同厂家的命令稍有不同,以下一Samsung公司的K9F1208U0M命令表为例介绍NAND设备的软件编写。



表2K9F1208U0MCommand Sets


1)      根据2410寄存器定义如下的命令宏

#define NF_CMD(cmd) {rNFCMD=cmd;}

#define NF_ADDR(addr)   {rNFADDR=addr;}

#define NF_nFCE_L() {rNFCONF&=~(1<<11);}

#define NF_nFCE_H() {rNFCONF|=(1<<11);}

#define NF_RSTECC() {rNFCONF|=(1<<12);}

#define NF_RDDATA()   (rNFDATA)

#define NF_WRDATA(data) {rNFDATA=data;}

#define NF_WAITRB()    {while(!(rNFSTAT&(1<<0)));}

      //wait tWB and check F_RNB pin.



2)      NAND 设备的初始化
static void NF_Init(void)                        //Flash 初始化
{

rNFCONF=(1<<15)|(1<<14)|(1<<13)|(1<<12)|(1<<11)|(TACLS<<8)|(TWRPH0<<4)|(TWRPH1<<0);                                          //设置NAND设备的相关寄存器

    // 11    1   1,   1      xxx,r xxx,   r xxx      

    // En 512B 4step ECCR nFCE="H" tACLS   tWRPH0   tWRPH1

   

    NF_Reset();

}

static void NF_Reset(void)                           //Flash重置
{

    int i;



    NF_nFCE_L();

    NF_CMD(0xFF);                      //reset command

    for(i=0;i<10;i++);                  //tWB = 100ns

    NF_WAITRB();                        //wait 200~500us;

    NF_nFCE_H();

}


3)      NAND设备的识别                  //#define ID_K9F1208U0M0xec76
static U16 NF_CheckId(void)                            //Id 辨别
{

    int i;

    U16 id;

   

    NF_nFCE_L();

    NF_CMD(0x90);

    NF_ADDR(0x0);

   

    for(i=0;i<10;i++);                  //wait tWB(100ns)

   

    id=NF_RDDATA()<<8;                  // Maker code(K9F1208U:0xec)

    id|=NF_RDDATA();                  // Devide code(K9F1208U:0x76)

   

    NF_nFCE_H();

    return id;

}


4)      NAND 的擦操作
static int NF_EraseBlock(U32 block)

{

    U32 blockPage=(block<<5);

    int i;

    NF_nFCE_L();

   

    NF_CMD(0x60 );                            // Erase one block 1st command


    NF_ADDR(blockPage&0xff);               // Page number="0"

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);   

    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);


    NF_CMD(0xd0 );                           // Erase one blcok 2nd command

   

   for(i=0;i<10;i++);                     //wait tWB(100ns)//??????


    NF_WAITRB();                            // Wait tBERS max 3ms.

    NF_CMD(0x70);                           // Read status command


    if (NF_RDDATA()&0x1)                  // Erase error

    {   

      NF_nFCE_H();

    Uart_Printf("\n",block);

      return 0;

    }

    else

    {

      NF_nFCE_H();

      return 1;

    }

}


5)      NAND 的读操作
static int NF_ReadPage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)      //读Flash

{

    int i;

    unsigned int blockPage;

    U8 ecc0,ecc1,ecc2;

    U8 *bufPt=buffer;

    U8 se;   

   

    page=page&0x1f;                                 //32页

    blockPage=(block<<5)+page;                      //1Bolck包含32页

    NF_RSTECC();                                    // Initialize ECC

   

    NF_nFCE_L();   

    NF_CMD(0x00);                                 // Read command

    NF_ADDR(0);                                     // Column = 0

    NF_ADDR(blockPage&0xff);                        //

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);                   // Block & Page num.

    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);                  //


    for(i=0;i<10;i++);                              //wait tWB(100ns)

   

    NF_WAITRB();                                    // Wait tR(max 12us)

    for(i=0;i<512;i++)

    {

      *bufPt++=NF_RDDATA();                     // Read one page

}

/************************ECC校验***************************/

    ecc0=rNFECC0;                              //利用2410自带的硬件ECC校验
    ecc1=rNFECC1;
    ecc2=rNFECC2;
   for(i=0;i<16;i++)

    {

      se=NF_RDDATA();                        // Read spare array
                                                    //读页内冗余的16B
    }

       NF_nFCE_H();   


    if(ecc0==se && ecc1==se && ecc2==se)   //未知使用哪一种软件规范?
    {                                             //比较数据结果是否正确

    Uart_Printf("\n",se,se,se);

      return 1;

    }

    else

    {

    Uart_Printf("\n",

      se,se,se,ecc0,ecc1,ecc2);

      return 0;

    }      

}



6)      NAND 的写操作
static int NF_WritePage(U32 block,U32 page,U8 *buffer)             //写Flash
{

    int i;

    U32 blockPage=(block<<5)+page;

    U8 *bufPt=buffer;


    NF_RSTECC();                              // Initialize ECC

   

    NF_nFCE_L();

    NF_CMD(0x0 );                              //?????\\Read Mode 1
    NF_CMD(0x80);                               // Write 1st command,数据输入

    NF_ADDR(0);                                 // Column 0

    NF_ADDR(blockPage&0xff);      

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);               // Block & page num.

    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);


    for(i=0;i<512;i++)

    {

    NF_WRDATA(*bufPt++);                  // Write one page to NFM from buffer

    }

   

    seBuf=rNFECC0;

    seBuf=rNFECC1;

    seBuf=rNFECC2;

    seBuf=0xff;                        // Marking good block

   

    for(i=0;i<16;i++)

    {

    NF_WRDATA(seBuf);                  // Write spare array(ECC and Mark)

    }



    NF_CMD(0x10);                           // Write 2nd command

   

    for(i=0;i<10;i++);                      //tWB = 100ns. ////??????

    NF_WAITRB();                            //wait tPROG 200~500us;



    NF_CMD(0x70);                           // Read status command   

   

    for(i=0;i<3;i++);                     //twhr=60ns

   

    if (NF_RDDATA()&0x1)                  // Page write error

    {   

      NF_nFCE_H();

    Uart_Printf("\n",block);

    return 0;

    }

    else

    {

      NF_nFCE_H();

    #if (WRITEVERIFY==1)

    //return NF_VerifyPage(block,page,pPage);   

    #else

    return 1;

    #endif

    }

}


以下讨论一下NAND 设备上所支持的文件系统,大概现在有以下几种:

A.       JFFS2(没有坏块处理,支持大容量存储的时候需要消耗大量的内存,大量的随机访问降低了NAND设备的读取效率)和YAFFS(速度快,但不支持文件的压缩和解压)

B.       支持DiskOnChip设备的TRUEFFS(True Flash File System). TRUEFFS是M-Systems公司为其产品DiskOnChip开发的文件系统,其规范并不开放。

C.       由SSFDC(Solid State Floppy Disk Card)论坛定义的支持SM卡的DOS-FAT。SM卡的DOS-FAT文件系统是由SSFDC论坛定义的,但它必须用在标准的块设备上。

对于大量用在各类存储卡上的NAND 设备而言,他们几乎都采用FAT文件系统,而在嵌入式操作系统下,还没有驱动程序可以直接让NAND设备采用文件系统,就技术角度来说,FAT文件系统不是很适合NAND设备,因为FAT文件系统的文件分区表需要不断地擦写,而NAND设备的只能有限次的擦写。


    在上面已经很明显的提到,NAND设备存在坏块,为和上层文件系统接口,NAND设备的驱动程序必须给文件系统提供一个可靠的存储空间,这就需要ECC(Error Corection Code)校验,坏块标注、地址映射等一系列的技术手段来达到可靠存储目的。

    SSFDC软件规范中,详细定义了如何利用NAND设备每个页中的冗余信息来实现上述功能。这个软件规范中,很重要的一个概念就是块的逻辑地址,它将在物理上可能不连续、不可靠的空间分配编号,为他们在逻辑空间上给系统文件提供一个连续可靠的存储空间。

表3给出了SSFDC规范中逻辑地址的标注方法。在系统初始化的时候,驱动程序先将所有的块扫描一遍,读出他们所对应的逻辑地址,并把逻辑地址和虚拟地址的映射表建好。系统运行时,驱动程序通过查询映射表,找到需要访问的逻辑地址所对应的物理地址然后进行数据读写。      

表3 冗余字节定义



表4给出了块逻辑地址的存放格式,LA表示逻辑地址,P代表偶校验位。逻辑地址只有10bit,代表只有1024bit的寻址空间。而SSFDC规范将NAND设备分成了多个zone,每个zone 内有1024块,但这物理上的1024块映射到逻辑空间只有1000块,其他的24块就作为备份使用,当有坏块存在时,就可以以备份块将其替换。

表4逻辑地址格式



有了以上的软件规范,就可以对NAND设备写出较标准的ECC校验,并可以编写检测坏块、标记坏块、建立物理地址和逻辑地址的映射表的程序了。
static int NF_IsBadBlock(U32 block)             //检测坏块

{

    int i;

    unsigned int blockPage;

    U8 data;

   

    blockPage=(block<<5);       // For 2'nd cycle I/O

   

    NF_nFCE_L();   

    NF_CMD(0x50);       // Spare array read command

    NF_ADDR(517&0xf);   // Read the mark of bad block in spare array(M addr="5")

    NF_ADDR(blockPage&0xff);    // The mark of bad block is in 0 page

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);   // For block number A

    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);// For block number A


   for(i=0;i<10;i++);               // wait tWB(100ns) //?????

   

    NF_WAITRB();                  // Wait tR(max 12us)

   

    data=NF_RDDATA();


    NF_nFCE_H();   


    if(data!=0xff)

    {

      Uart_Printf("\n",block,data);

      return 1;

    }

    else

    {

      return 0;

    }

}


static int NF_MarkBadBlock(U32 block)                     //标记坏块

{

    int i;

    U32 blockPage=(block<<5);



    seBuf=0xff;

    seBuf=0xff;   

    seBuf=0xff;   

    seBuf=0x44;                              // Bad blcok mark="0"

   

    NF_nFCE_L();

    NF_CMD(0x50);                               //????
    NF_CMD(0x80);                               // Write 1st command

   

    NF_ADDR(0x0);                               // The mark of bad block is

    NF_ADDR(blockPage&0xff);                  // marked 5th spare array

    NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);               // in the 1st page.

    NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);            

   

    for(i=0;i<16;i++)

    {

    NF_WRDATA(seBuf);                        // Write spare array

    }


    NF_CMD(0x10);                               // Write 2nd command

   

    for(i=0;i<10;i++);                        //tWB = 100ns. ///???????


    NF_WAITRB();                              // Wait tPROG(200~500us)



    NF_CMD(0x70);

   

    for(i=0;i<3;i++);                           //twhr=60ns////??????

   

    if (NF_RDDATA()&0x1)                        // Spare arrray write error

    {   

      NF_nFCE_H();

      Uart_Printf("\n");

    }

    else

    {

      NF_nFCE_H();

    }


    Uart_Printf("\n",block);

    return 1;

}


int search_logic_block(void)                  //建立物理地址到逻
//辑地址的映射表
{

    unsigned int block,i,blockPage,logic_no,zone,zone_i;

    U8 SE;

    for(i=0;i<BLOCK_NR;i++)                         //初始化全局变量

      lg2ph=space_block=0xffff;

    logic_number=0;

    space_nr=0;


    NF_nFCE_L();

    zone=BLOCK_NR/1024;                           //确定NAND设备中zone

//的个数


    for(zone_i=0;zone_i<zone;zone_i++)

    {

      //搜索每个zone 内逻辑地址和物理地址的映射关系

      for(block=0;block<1024;block++)

      {

            blockPage=((block+zone_i*1024)<<BLOCK_ADDRERSS_SHIFT);

      NF_WATIRB();                              //等待R/B#信号有效

      

      NF_CMD(0x50);                               // 读取每个block内部第

//0个Page内冗余的16个字节

      NF_ADDR(0);                                 // Column 0

      NF_ADDR(blockPage&0xff);      

      NF_ADDR((blockPage>>8)&0xff);               // Block & page num.

      NF_ADDR((blockPage>>16)&0xff);


      NF_WATIRB();                              //等待R/B#信号有效

      for(i=0;i<16;i++)se=NF_RDDATA();       // Write spare array

      NF_WATIRB();


      if(se!=0xff)                              //检测是否存在坏块

            printk("\n\rphysic block %d is bad block\n\r",block);

      else if(se!=se )

            printk("block address1:%d!=block address2 %d\n\r",se,se);

      else if((se &0xf8)==0x10)

      {

            //计算该block对应的逻辑地址

            logic_no=((0x7&se)<<7)+(se>>1)+zone_i*1000;

            if(lg2ph!=0xffff)             //说明有2个block拥有相
//同的逻辑地址
                printk("physical block %d and block %d have the same logic number %d\n",lg2ph,block,logic_no);

            else lg2ph=block;             //将该block的逻辑地址
//关系记入lg2ph表

            logic_number++;                        

      }

      else if(se==0xff)                        //说明该block尚未编号

      {space_block=block;

      space_nr++;

      }

      }

    }

    printk("there are totally %d logic blocks\n\r",logic_number);

    NF_nFCE_H();

    return logic_number;

}


这段代码的主要作用就是产生数组lg2ph[],这个数组的含义就是“块物理地址=lg2ph[逻辑地址]”。

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发出擦除命令

确认并擦除

2410处理器的功能

为什么要有一个读取的命令???

读取ECC并写入16字节中

参看表3

标记块状态517字节

块状态

块逻辑地址1和块逻辑地址2

块逻辑地址1

a12aa12a305 发表于 2015-3-11 00:24:21

这帖子 留名值得初学者看看的

pc3000xwt 发表于 2016-10-18 20:35:50

好好好,真的不错。{:6_223:}

中国U盘 发表于 2016-11-17 22:07:49

介绍得很好很详细.

xuwenning 发表于 2017-1-3 13:16:07

谢谢分享
学习了

jimmyyjh 发表于 2017-5-16 09:31:12

谢谢分享
学习了

weijiaoxian 发表于 2017-10-18 19:50:58

新人表示,有些复杂。。。。
继续鲁力学习{:3_142:}

pc3000xwt 发表于 2018-3-16 22:06:12

学习了。。感谢。

allen027 发表于 2018-7-19 16:22:24

过来看看,学习学习

fxd332024696 发表于 2019-2-15 21:05:07

这帖子 留名值得初学者看看的
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查看完整版本: Nand Flash数据读写与软件编写调试